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制造商: Transphorm

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: GaN

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 29 A

Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.7 V

Qg-栅极电荷: 9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

通道模式: Enhancement

商标名: SuperGaN

系列: Gen IV SuperGaN

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Transphorm

下降时间: 7.2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6.2 ns

50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N Channel

典型关闭延迟时间: 56 ns

典型接通延迟时间: 43.4 ns

详情请联系：15019275130 张小姐（微信号同手机号）